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    IPB180N10S4-02

    MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB180N10S4-02 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 PG-TO-263-7
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 300 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 180 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.5 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 156 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,644

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥34.9475
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥34.9475 ¥34.9475
    10+ ¥29.6767 ¥296.7670
    100+ ¥24.2297 ¥2,422.9700
    500+ ¥20.5719 ¥10,285.9500
    1,000+ ¥18.4036 ¥18,403.6000
    2,000+ ¥17.8484 ¥35,696.8000

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