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AIMW120R045M1XKSA1

MOSFET DISCRETE SWITCHES

制造商:
Infineon Technologies
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AIMW120R045M1XKSA1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-247-3
通道数量 1 Channel
技术 SiC
商标名 CoolSiC
配置 Single
Pd-功率耗散 228 W
Vgs - 栅极-源极电压 - 7 V, 20 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 1200 V
Id-连续漏极电流 52 A
Rds On-漏源导通电阻 59 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 5.7 V
Qg-栅极电荷 57 nC
通道模式 Enhancement

库存:53,511

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥176.3417
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥176.3417 ¥176.3417
10+ ¥162.6536 ¥1,626.5360
25+ ¥155.3379 ¥3,883.4475
100+ ¥137.0577 ¥13,705.7700
250+ ¥127.9528 ¥31,988.2000
500+ ¥119.2799 ¥59,639.9500

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