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| 数据手册 | IXFP6N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.75 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 92 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,908
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.5885
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.5885 | ￥40.5885 |
| 10+ | ￥36.6222 | ￥366.2220 |
| 50+ | ￥35.7496 | ￥1,787.4800 |
| 100+ | ￥28.9364 | ￥2,893.6400 |
| 500+ | ￥25.5253 | ￥12,762.6500 |
| 1,000+ | ￥22.9869 | ￥22,986.9000 |
| 2,500+ | ￥22.1231 | ￥55,307.7500 |
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