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    SQS411ENW-T1_GE3

    MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SQS411ENW-T1_GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 PowerPAK-1212-8W
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 53.6 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 16 A
    Rds On-漏源导通电阻 27.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V
    Qg-栅极电荷 50 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,383

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4.9535
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4.9535 ¥4.9535
    10+ ¥4.3806 ¥43.8060
    100+ ¥3.3493 ¥334.9300
    500+ ¥2.6530 ¥1,326.5000
    3,000+ ¥1.8686 ¥5,605.8000
    6,000+ ¥1.7364 ¥10,418.4000
    9,000+ ¥1.6747 ¥15,072.3000
    24,000+ ¥1.6306 ¥39,134.4000

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