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    NTBG020N120SC1

    MOSFET SIC MOS 20MW 1200V

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NTBG020N120SC1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 D2PAK-7
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 468 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 15 V, 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1200 V
    Id-连续漏极电流 98 A
    Rds On-漏源导通电阻 28 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4.3 V
    Qg-栅极电荷 220 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,122

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥146.4182
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥146.4182 ¥146.4182
    10+ ¥135.0746 ¥1,350.7460
    25+ ¥129.0017 ¥3,225.0425
    100+ ¥113.8240 ¥11,382.4000
    250+ ¥106.1999 ¥26,549.9750
    500+ ¥97.1567 ¥48,578.3500
    800+ ¥93.3138 ¥74,651.0400

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