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| 数据手册 | IXFN50N120SK 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| Qg-栅极电荷 | 115 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,754
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥379.1518
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥379.1518 | ￥379.1518 |
| 5+ | ￥365.8868 | ￥1,829.4340 |
| 10+ | ￥354.6754 | ￥3,546.7540 |
| 25+ | ￥327.9689 | ￥8,199.2225 |
| 50+ | ￥311.4251 | ￥15,571.2550 |
| 100+ | ￥279.2628 | ￥27,926.2800 |
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