SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIZ260DT-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAIR-3x3S-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 24.7 A, 24.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 0.0245 Ohms, 0.0247 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 13.1 nC, 13.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,366
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.5007
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.5007 | ￥7.5007 |
| 10+ | ￥6.1962 | ￥61.9620 |
| 100+ | ￥4.7684 | ￥476.8400 |
| 500+ | ￥4.0985 | ￥2,049.2500 |
| 3,000+ | ￥2.8910 | ￥8,673.0000 |
| 6,000+ | ￥2.8646 | ￥17,187.6000 |
| 9,000+ | ￥2.7588 | ￥24,829.2000 |
| 24,000+ | ￥2.6706 | ￥64,094.4000 |
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