SIHH186N60EF-T1GE3
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHH186N60EF-T1GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK 8 x 8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 168 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,920
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥30.5493
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.5493 | ￥30.5493 |
| 10+ | ￥26.5830 | ￥265.8300 |
| 100+ | ￥21.8147 | ￥2,181.4700 |
| 250+ | ￥21.4356 | ￥5,358.9000 |
| 500+ | ￥18.7738 | ￥9,386.9000 |
| 1,000+ | ￥15.8035 | ￥15,803.5000 |
| 3,000+ | ￥14.8692 | ￥44,607.6000 |
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