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| 数据手册 | APT8M100B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.53 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,516
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.1158
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.1158 | ￥37.1158 |
| 10+ | ￥29.8001 | ￥298.0010 |
| 25+ | ￥29.2449 | ￥731.1225 |
| 100+ | ￥27.1383 | ￥2,713.8300 |
| 250+ | ￥24.4765 | ￥6,119.1250 |
| 500+ | ￥21.8147 | ￥10,907.3500 |
| 1,000+ | ￥18.4653 | ￥18,465.3000 |
| 2,500+ | ￥17.0375 | ￥42,593.7500 |
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