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| 数据手册 | IXTA1N170DHV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263HV-2 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 16 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：57,000
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥80.5511
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥80.5511 | ￥80.5511 |
| 10+ | ￥73.9847 | ￥739.8470 |
| 50+ | ￥72.2484 | ￥3,612.4200 |
| 100+ | ￥61.3454 | ￥6,134.5400 |
| 500+ | ￥55.5811 | ￥27,790.5500 |
| 1,000+ | ￥50.9978 | ￥50,997.8000 |
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