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| 数据手册 | IXFR32N80Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
库存：57,609
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥144.4350
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥144.4350 | ￥144.4350 |
| 5+ | ￥143.1922 | ￥715.9610 |
| 10+ | ￥133.2236 | ￥1,332.2360 |
| 25+ | ￥129.8743 | ￥3,246.8575 |
| 50+ | ￥126.8335 | ￥6,341.6750 |
| 100+ | ￥112.2727 | ￥11,227.2700 |
| 250+ | ￥110.1662 | ￥27,541.5500 |
| 500+ | ￥95.7906 | ￥47,895.3000 |
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