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| 数据手册 | IXFN30N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,475
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥294.0703
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥294.0703 | ￥294.0703 |
| 10+ | ￥255.7206 | ￥2,557.2060 |
| 25+ | ￥252.1862 | ￥6,304.6550 |
| 50+ | ￥244.6855 | ￥12,234.2750 |
| 100+ | ￥236.3827 | ￥23,638.2700 |
| 200+ | ￥220.6497 | ￥44,129.9400 |
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