TSM200N03DPQ33 RGG
MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TSM200N03DPQ33 RGG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PDFN33-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 4.1 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,085
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9663
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.9663 | ￥3.9663 |
| 10+ | ￥3.5168 | ￥35.1680 |
| 100+ | ￥2.3886 | ￥238.8600 |
| 500+ | ￥2.0008 | ￥1,000.4000 |
| 5,000+ | ￥1.3926 | ￥6,963.0000 |
| 10,000+ | ￥1.2868 | ￥12,868.0000 |
| 20,000+ | ￥1.2692 | ￥25,384.0000 |
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