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数据手册 | ALD212900ASAL 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | 0 C |
最大工作温度 | + 70 C |
封装 / 箱体 | SOIC-8 |
通道数量 | 2 Channel |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10.6 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Id-连续漏极电流 | 79 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 14 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 10 mV |
通道模式 | Depletion |
库存:59,260
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥40.4651
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥40.4651 | ¥40.4651 |
10+ | ¥36.1198 | ¥361.1980 |
25+ | ¥32.5942 | ¥814.8550 |
50+ | ¥31.7833 | ¥1,589.1650 |
100+ | ¥29.5533 | ¥2,955.3300 |
250+ | ¥26.8298 | ¥6,707.4500 |
500+ | ¥23.9829 | ¥11,991.4500 |
1,000+ | ¥20.3251 | ¥20,325.1000 |
2,500+ | ¥19.2057 | ¥48,014.2500 |
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