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| 数据手册 | APT14M100B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 710 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,037
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥54.9641
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥54.9641 | ￥54.9641 |
| 10+ | ￥49.4465 | ￥494.4650 |
| 25+ | ￥45.0484 | ￥1,126.2100 |
| 50+ | ￥42.0075 | ￥2,100.3750 |
| 100+ | ￥40.6502 | ￥4,065.0200 |
| 250+ | ￥37.1158 | ￥9,278.9500 |
| 500+ | ￥33.8898 | ￥16,944.9000 |
| 1,000+ | ￥28.6896 | ￥28,689.6000 |
| 2,500+ | ￥27.1383 | ￥67,845.7500 |
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