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    IPB037N06N3 G

    MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB037N06N3 G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 188 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 90 A
    Rds On-漏源导通电阻 3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 98 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,074

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.3605
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.3605 ¥9.3605
    10+ ¥7.9326 ¥79.3260
    100+ ¥6.1874 ¥618.7400
    500+ ¥5.2355 ¥2,617.7500
    1,000+ ¥4.4423 ¥4,442.3000
    2,000+ ¥4.3806 ¥8,761.2000
    10,000+ ¥4.2131 ¥42,131.0000

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