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数据手册 | IXFH50N60P3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1040 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
Qg-栅极电荷 | 94 nC |
库存:51,650
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥43.6205
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥43.6205 | ¥43.6205 |
10+ | ¥39.4074 | ¥394.0740 |
50+ | ¥36.6839 | ¥1,834.1950 |
100+ | ¥35.8113 | ¥3,581.1300 |
250+ | ¥32.7176 | ¥8,179.4000 |
500+ | ¥27.5085 | ¥13,754.2500 |
1,000+ | ¥24.7233 | ¥24,723.3000 |
2,500+ | ¥23.7978 | ¥59,494.5000 |
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