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| 数据手册 | IXTH1N200P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 23.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,762
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.3008
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.3008 | ￥37.3008 |
| 10+ | ￥33.7047 | ￥337.0470 |
| 50+ | ￥32.3474 | ￥1,617.3700 |
| 100+ | ￥26.6447 | ￥2,664.4700 |
| 500+ | ￥23.4805 | ￥11,740.2500 |
| 1,000+ | ￥21.1272 | ￥21,127.2000 |
| 2,500+ | ￥20.3251 | ￥50,812.7500 |
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