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| 数据手册 | IXTT16N50D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 695 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 199 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：56,532
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥92.9436
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥92.9436 | ￥92.9436 |
| 10+ | ￥84.4557 | ￥844.5570 |
| 25+ | ￥78.1361 | ￥1,953.4025 |
| 50+ | ￥68.5905 | ￥3,429.5250 |
| 100+ | ￥67.2332 | ￥6,723.3200 |
| 250+ | ￥62.4560 | ￥15,614.0000 |
| 500+ | ￥57.8727 | ￥28,936.3500 |
| 1,000+ | ￥53.9681 | ￥53,968.1000 |
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