文档与媒体
| 数据手册 | IXFK32N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,573
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥129.3190
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥129.3190 | ￥129.3190 |
| 10+ | ￥117.5435 | ￥1,175.4350 |
| 25+ | ￥94.5566 | ￥2,363.9150 |
| 250+ | ￥87.5495 | ￥21,887.3750 |
| 500+ | ￥81.1681 | ￥40,584.0500 |
| 1,000+ | ￥74.1081 | ￥74,108.1000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
