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| 数据手册 | IXTA50N25T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,659
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥27.3234
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.3234 | ￥27.3234 |
| 10+ | ￥24.4148 | ￥244.1480 |
| 25+ | ￥21.2506 | ￥531.2650 |
| 50+ | ￥20.8187 | ￥1,040.9350 |
| 100+ | ￥20.0166 | ￥2,001.6600 |
| 250+ | ￥17.0992 | ￥4,274.8000 |
| 500+ | ￥16.2354 | ￥8,117.7000 |
| 1,000+ | ￥13.6970 | ￥13,697.0000 |
| 2,500+ | ￥11.7138 | ￥29,284.5000 |
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