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| 数据手册 | IXTR102N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOPLUS-247-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 54 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
库存：56,962
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥106.5789
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥106.5789 | ￥106.5789 |
| 10+ | ￥96.9099 | ￥969.0990 |
| 25+ | ￥89.5943 | ￥2,239.8575 |
| 50+ | ￥82.4726 | ￥4,123.6300 |
| 100+ | ￥80.4278 | ￥8,042.7800 |
| 250+ | ￥73.7379 | ￥18,434.4750 |
| 500+ | ￥66.9159 | ￥33,457.9500 |
| 1,000+ | ￥61.0986 | ￥61,098.6000 |
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