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| 数据手册 | IXTA1R4N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,480
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.6016
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.6016 | ￥17.6016 |
| 10+ | ￥15.9269 | ￥159.2690 |
| 25+ | ￥14.4373 | ￥360.9325 |
| 50+ | ￥12.5776 | ￥628.8800 |
| 250+ | ￥10.3476 | ￥2,586.9000 |
| 500+ | ￥9.9158 | ￥4,957.9000 |
| 1,000+ | ￥8.2411 | ￥8,241.1000 |
| 2,500+ | ￥6.8749 | ￥17,187.2500 |
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