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| 数据手册 | IXFN170N30P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 138 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 258 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,225
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥208.0721
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥208.0721 | ￥208.0721 |
| 5+ | ￥206.2740 | ￥1,031.3700 |
| 10+ | ￥191.8984 | ￥1,918.9840 |
| 25+ | ￥183.2871 | ￥4,582.1775 |
| 50+ | ￥175.4779 | ￥8,773.8950 |
| 100+ | ￥170.3306 | ￥17,033.0600 |
| 200+ | ￥156.2722 | ￥31,254.4400 |
| 500+ | ￥148.6481 | ￥74,324.0500 |
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