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    IRFH7911TRPBF

    MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFH7911TRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PQFN-18
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 StrongIRFET
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 2.4 W, 3.4 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 13 A, 28 A
    Rds On-漏源导通电阻 8.6 mOhms, 3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.35 V
    Qg-栅极电荷 8.3 nC, 34 nC

    库存:59,823

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.3628
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.3628 ¥15.3628
    10+ ¥13.0095 ¥130.0950
    100+ ¥10.1625 ¥1,016.2500
    500+ ¥8.6113 ¥4,305.6500
    4,000+ ¥7.1217 ¥28,486.8000
    8,000+ ¥6.8749 ¥54,999.2000

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