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    DMN3016LFDE-13

    MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMN3016LFDE-13 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 U-DFN2020-E-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 2.02 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 10 A
    Rds On-漏源导通电阻 16 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.4 V
    Qg-栅极电荷 25.1 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,238

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.5384
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.5384 ¥2.5384
    10+ ¥1.9303 ¥19.3030
    100+ ¥1.0489 ¥104.8900
    1,000+ ¥0.7871 ¥787.1000
    2,500+ ¥0.6813 ¥1,703.2500
    10,000+ ¥0.6381 ¥6,381.0000

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