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| 数据手册 | APT22F80B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,856
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥70.6354
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥70.6354 | ￥70.6354 |
| 10+ | ￥63.5754 | ￥635.7540 |
| 25+ | ￥57.8727 | ￥1,446.8175 |
| 50+ | ￥53.9064 | ￥2,695.3200 |
| 100+ | ￥52.2318 | ￥5,223.1800 |
| 250+ | ￥47.6485 | ￥11,912.1250 |
| 500+ | ￥43.4971 | ￥21,748.5500 |
| 1,000+ | ￥36.8073 | ￥36,807.3000 |
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