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| 数据手册 | IXFA7N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6 V |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,412
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥34.0132
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥34.0132 | ￥34.0132 |
| 10+ | ￥30.6110 | ￥306.1100 |
| 25+ | ￥26.7681 | ￥669.2025 |
| 50+ | ￥26.2128 | ￥1,310.6400 |
| 100+ | ￥23.1103 | ￥2,311.0300 |
| 250+ | ￥21.5590 | ￥5,389.7500 |
| 500+ | ￥17.0992 | ￥8,549.6000 |
| 1,000+ | ￥14.6841 | ￥14,684.1000 |
| 2,500+ | ￥14.4373 | ￥36,093.2500 |
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