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    SQD23N06-31L_T4GE3

    MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

    制造商:
    Vishay / Siliconix
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SQD23N06-31L_T4GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 37 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 23 A
    Rds On-漏源导通电阻 31 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V
    Qg-栅极电荷 24 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,321

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.7027
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.7027 ¥5.7027
    10+ ¥4.3189 ¥43.1890
    100+ ¥3.4727 ¥347.2700
    500+ ¥3.0056 ¥1,502.8000
    1,000+ ¥2.4503 ¥2,450.3000
    2,500+ ¥2.2828 ¥5,707.0000
    5,000+ ¥2.2035 ¥11,017.5000
    10,000+ ¥2.0889 ¥20,889.0000
    25,000+ ¥2.0272 ¥50,680.0000

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