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| 数据手册 | IXFT42N50P2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
库存：54,911
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥48.1421
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥48.1421 | ￥48.1421 |
| 25+ | ￥38.3585 | ￥958.9625 |
| 50+ | ￥37.4242 | ￥1,871.2100 |
| 100+ | ￥36.5605 | ￥3,656.0500 |
| 250+ | ￥33.3962 | ￥8,349.0500 |
| 500+ | ￥30.4259 | ￥15,212.9500 |
| 1,000+ | ￥28.9981 | ￥28,998.1000 |
| 2,500+ | ￥24.8467 | ￥62,116.7500 |
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