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| 数据手册 | IXTP20N65XM 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 35 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,197
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥49.0147
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥49.0147 | ￥49.0147 |
| 10+ | ￥43.8056 | ￥438.0560 |
| 25+ | ￥38.1029 | ￥952.5725 |
| 50+ | ￥37.3625 | ￥1,868.1250 |
| 100+ | ￥35.9347 | ￥3,593.4700 |
| 250+ | ￥30.6727 | ￥7,668.1750 |
| 500+ | ￥29.1215 | ￥14,560.7500 |
| 1,000+ | ￥24.5382 | ￥24,538.2000 |
| 2,500+ | ￥21.0655 | ￥52,663.7500 |
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