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| 数据手册 | IXFT20N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 570 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 126 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,788
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥80.1193
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥80.1193 | ￥80.1193 |
| 10+ | ￥72.1250 | ￥721.2500 |
| 25+ | ￥60.0410 | ￥1,501.0250 |
| 50+ | ￥55.7662 | ￥2,788.3100 |
| 100+ | ￥54.5234 | ￥5,452.3400 |
| 250+ | ￥49.7550 | ￥12,438.7500 |
| 500+ | ￥45.4185 | ￥22,709.2500 |
| 1,000+ | ￥43.3120 | ￥43,312.0000 |
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