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| 数据手册 | IXFB120N50P2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.89 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
库存：51,039
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥148.2779
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥148.2779 | ￥148.2779 |
| 10+ | ￥138.4856 | ￥1,384.8560 |
| 25+ | ￥120.3904 | ￥3,009.7600 |
| 50+ | ￥114.6966 | ￥5,734.8300 |
| 100+ | ￥111.9025 | ￥11,190.2500 |
| 250+ | ￥102.5509 | ￥25,637.7250 |
| 500+ | ￥93.0670 | ￥46,533.5000 |
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