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| 数据手册 | IXFN90N30 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 360 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,221
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥185.7639
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥185.7639 | ￥185.7639 |
| 5+ | ￥176.4651 | ￥882.3255 |
| 10+ | ￥171.8201 | ￥1,718.2010 |
| 25+ | ￥157.9381 | ￥3,948.4525 |
| 50+ | ￥151.1865 | ￥7,559.3250 |
| 100+ | ￥146.7884 | ￥14,678.8400 |
| 200+ | ￥134.7044 | ￥26,940.8800 |
| 500+ | ￥128.1996 | ￥64,099.8000 |
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