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| 数据手册 | IXTT11P50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,900
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥64.6859
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥64.6859 | ￥64.6859 |
| 10+ | ￥58.3663 | ￥583.6630 |
| 25+ | ￥47.8336 | ￥1,195.8400 |
| 50+ | ￥45.8504 | ￥2,292.5200 |
| 100+ | ￥43.0652 | ￥4,306.5200 |
| 250+ | ￥39.9627 | ￥9,990.6750 |
| 500+ | ￥37.4859 | ￥18,742.9500 |
| 1,000+ | ￥36.1198 | ￥36,119.8000 |
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