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数据手册 | IXTA220N04T2-7 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-263-7 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 360 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 220 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 112 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:51,561
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥39.8393
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥39.8393 | ¥39.8393 |
10+ | ¥35.6262 | ¥356.2620 |
25+ | ¥30.9812 | ¥774.5300 |
50+ | ¥30.3642 | ¥1,518.2100 |
100+ | ¥29.2449 | ¥2,924.4900 |
250+ | ¥24.9701 | ¥6,242.5250 |
500+ | ¥23.6656 | ¥11,832.8000 |
1,000+ | ¥19.9549 | ¥19,954.9000 |
2,500+ | ¥17.0992 | ¥42,748.0000 |
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