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数据手册 | DMN65D8LT-13 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 370 mW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 310 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 0.87 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,109
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.2428
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.2428 | ¥1.2428 |
10+ | ¥1.1546 | ¥11.5460 |
100+ | ¥0.4028 | ¥40.2800 |
1,000+ | ¥0.2662 | ¥266.2000 |
10,000+ | ¥0.1798 | ¥1,798.0000 |
20,000+ | ¥0.1613 | ¥3,226.0000 |
50,000+ | ¥0.1428 | ¥7,140.0000 |
100,000+ | ¥0.1181 | ¥11,810.0000 |
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