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| 数据手册 | IPS65R1K0CEAKMA2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PG-TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 15.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,122
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.5833
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.5833 | ￥4.5833 |
| 10+ | ￥3.7460 | ￥37.4600 |
| 100+ | ￥2.6178 | ￥261.7800 |
| 1,000+ | ￥1.9303 | ￥1,930.3000 |
| 2,500+ | ￥1.7011 | ￥4,252.7500 |
| 10,000+ | ￥1.6570 | ￥16,570.0000 |
| 25,000+ | ￥1.6041 | ￥40,102.5000 |
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