| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
147 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
| Id-连续漏极电流 |
12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
380 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
4 V |
| Qg-栅极电荷 |
29 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.2691
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥12.2691 |
￥12.2691 |
|
10+
|
￥10.7795 |
￥107.7950 |
|
100+
|
￥8.4879 |
￥848.7900 |
|
500+
|
￥7.2539 |
￥3,626.9500 |
|
1,000+
|
￥6.0200 |
￥6,020.0000 |
|
2,500+
|
￥5.6057 |
￥14,014.2500 |
|
5,000+
|
￥5.4471 |
￥27,235.5000 |
|
10,000+
|
￥5.1826 |
￥51,826.0000 |
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