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数据手册 | PSMN8R5-100PSQ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
技术 | SI |
Pd-功率耗散 | 263 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 22.6 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 111 nC |
库存:51,490
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥10.9646
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥10.9646 | ¥10.9646 |
10+ | ¥9.5456 | ¥95.4560 |
100+ | ¥7.2539 | ¥725.3900 |
500+ | ¥6.1345 | ¥3,067.2500 |
1,000+ | ¥5.2091 | ¥5,209.1000 |
2,000+ | ¥5.0240 | ¥10,048.0000 |
5,000+ | ¥4.8389 | ¥24,194.5000 |
10,000+ | ¥4.6450 | ¥46,450.0000 |
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