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    IXTA08N100D2-TRL

    MOSFET IXTA08N100D2 TRL

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTA08N100D2-TRL 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263AA-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 60 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1000 V
    Id-连续漏极电流 800 mA
    Rds On-漏源导通电阻 21 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 - 2 V
    Qg-栅极电荷 14.6 nC
    通道模式 Depletion

    库存:58,892

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥13.1946
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥13.1946 ¥13.1946
    10+ ¥11.9606 ¥119.6060
    25+ ¥10.4093 ¥260.2325
    50+ ¥9.7307 ¥486.5350
    250+ ¥7.8092 ¥1,952.3000
    500+ ¥7.5007 ¥3,750.3500
    800+ ¥6.1962 ¥4,956.9600
    2,400+ ¥5.2003 ¥12,480.7200

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