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| 数据手册 | IXTP12N65X2M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：53,277
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥20.3251
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.3251 | ￥20.3251 |
| 10+ | ￥18.1568 | ￥181.5680 |
| 25+ | ￥15.8035 | ￥395.0875 |
| 50+ | ￥15.4950 | ￥774.7500 |
| 100+ | ￥14.8692 | ￥1,486.9200 |
| 250+ | ￥12.7010 | ￥3,175.2500 |
| 500+ | ￥12.0840 | ￥6,042.0000 |
| 1,000+ | ￥10.1625 | ￥10,162.5000 |
| 2,500+ | ￥8.7347 | ￥21,836.7500 |
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