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| 数据手册 | IXTQ60N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 176 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：56,278
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥20.4485
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.4485 | ￥20.4485 |
| 10+ | ￥18.2802 | ￥182.8020 |
| 25+ | ￥15.8652 | ￥396.6300 |
| 50+ | ￥15.5567 | ￥777.8350 |
| 100+ | ￥14.9926 | ￥1,499.2600 |
| 250+ | ￥12.7627 | ￥3,190.6750 |
| 500+ | ￥12.1457 | ￥6,072.8500 |
| 1,000+ | ￥10.2242 | ￥10,224.2000 |
| 2,500+ | ￥8.7347 | ￥21,836.7500 |
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