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| 数据手册 | IXTP20N65X2M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 185 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：59,779
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥24.7233
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.7233 | ￥24.7233 |
| 10+ | ￥22.0614 | ￥220.6140 |
| 25+ | ￥19.2057 | ￥480.1425 |
| 50+ | ￥18.8355 | ￥941.7750 |
| 100+ | ￥18.0951 | ￥1,809.5100 |
| 250+ | ￥15.4950 | ￥3,873.7500 |
| 500+ | ￥14.6841 | ￥7,342.0500 |
| 1,000+ | ￥12.3925 | ￥12,392.5000 |
| 2,500+ | ￥10.5944 | ￥26,486.0000 |
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