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| 数据手册 | IXTP12N70X2M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：50,212
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥24.9084
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.9084 | ￥24.9084 |
| 10+ | ￥22.2465 | ￥222.4650 |
| 25+ | ￥19.3908 | ￥484.7700 |
| 50+ | ￥18.9589 | ￥947.9450 |
| 100+ | ￥18.2802 | ￥1,828.0200 |
| 250+ | ￥15.6184 | ￥3,904.6000 |
| 500+ | ￥14.8075 | ￥7,403.7500 |
| 1,000+ | ￥12.4542 | ￥12,454.2000 |
| 2,500+ | ￥10.7178 | ￥26,794.5000 |
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