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| 数据手册 | IXFP130N10T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,015
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥25.9043
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.9043 | ￥25.9043 |
| 10+ | ￥23.1103 | ￥231.1030 |
| 25+ | ￥20.8187 | ￥520.4675 |
| 50+ | ￥18.0951 | ￥904.7550 |
| 250+ | ￥16.1737 | ￥4,043.4250 |
| 500+ | ￥15.3628 | ￥7,681.4000 |
| 1,000+ | ￥12.9478 | ￥12,947.8000 |
| 2,500+ | ￥11.0880 | ￥27,720.0000 |
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