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| 数据手册 | IXFA18N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,983
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥26.3362
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.3362 | ￥26.3362 |
| 10+ | ￥23.5422 | ￥235.4220 |
| 25+ | ￥20.4485 | ￥511.2125 |
| 50+ | ￥20.0166 | ￥1,000.8300 |
| 100+ | ￥19.2674 | ￥1,926.7400 |
| 250+ | ￥16.4822 | ￥4,120.5500 |
| 500+ | ￥15.6184 | ￥7,809.2000 |
| 1,000+ | ￥13.1946 | ￥13,194.6000 |
| 2,500+ | ￥11.2731 | ￥28,182.7500 |
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