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| 数据手册 | TK16J60W,S1VQ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,755
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥29.4916
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥29.4916 | ￥29.4916 |
| 10+ | ￥23.7273 | ￥237.2730 |
| 100+ | ￥21.6207 | ￥2,162.0700 |
| 250+ | ￥19.5142 | ￥4,878.5500 |
| 500+ | ￥17.5310 | ￥8,765.5000 |
| 1,000+ | ￥14.7458 | ￥14,745.8000 |
| 2,500+ | ￥14.0671 | ￥35,167.7500 |
| 5,000+ | ￥13.5119 | ￥67,559.5000 |
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