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数据手册 | IXFA50N20X3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 240 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 33 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,231
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥30.8578
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥30.8578 | ¥30.8578 |
10+ | ¥27.6319 | ¥276.3190 |
25+ | ¥24.0446 | ¥601.1150 |
50+ | ¥23.5422 | ¥1,177.1100 |
100+ | ¥22.6167 | ¥2,261.6700 |
250+ | ¥19.3291 | ¥4,832.2750 |
500+ | ¥18.3419 | ¥9,170.9500 |
1,000+ | ¥15.4950 | ¥15,495.0000 |
2,500+ | ¥13.2563 | ¥33,140.7500 |
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