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| 数据手册 | IXTQ86N20T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 90 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,533
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥33.7047
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥33.7047 | ￥33.7047 |
| 10+ | ￥30.1174 | ￥301.1740 |
| 25+ | ￥26.2128 | ￥655.3200 |
| 50+ | ￥25.6487 | ￥1,282.4350 |
| 100+ | ￥24.6616 | ￥2,466.1600 |
| 250+ | ￥21.0655 | ￥5,266.3750 |
| 500+ | ￥20.0166 | ￥10,008.3000 |
| 1,000+ | ￥16.8524 | ￥16,852.4000 |
| 2,500+ | ￥14.4373 | ￥36,093.2500 |
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